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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB18NF25
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STB18NF25 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB18NF25
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB18NF25
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 250V 17A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
ST(B,D)18NF25.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 27760

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मात्रा

विशेष विवरण

STB18NF25 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB18NF25 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB18NF25 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 8.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29.5 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB18  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB18NF25 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB18NF25 STB18NM60N STB18N60DM2 STB18NF30
भाग संख्या STB18NF25 STB18NM60N STB18N60DM2 STB18NF30
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 29.5 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±25V ±25V ±20V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 8.5A, 10V 285mOhm @ 6.5A, 10V 295mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 9A, 10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1000 pF @ 25 V 1000 pF @ 50 V 800 pF @ 100 V 1650 pF @ 25 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
आधार उत्पाद संख्या STB18 STB18N STB18 STB18
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 110W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc) 150W (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc) 13A (Tc) 12A (Tc) 18A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 250 V 600 V 600 V 330 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शृंखला Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II MDmesh™ II MDmesh™ DM2 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II

STB18NF25 डेटशीट पीडीएफ

STB18NF25 - STMicroelectronics के लिए STB18NF25 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
ST(B,D)18NF25.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB18NF25

STMicroelectronics
32D-STB18NF25

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