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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB21NK50Z
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STB21NK50Z - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB21NK50Z
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB21NK50Z
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STB21NK50Z.pdf
RoHs स्थिति
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स्टॉक में: 4030

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मात्रा

विशेष विवरण

STB21NK50Z तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB21NK50Z तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB21NK50Z के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 270mOhm @ 8.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 190W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2600 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 119 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB21N  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB21NK50Z के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB21NK50Z STB20NM60D STB21NM50N STB21NM60N
भाग संख्या STB21NK50Z STB20NM60D STB21NM50N STB21NM60N
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2600 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1950 pF @ 25 V 1900 pF @ 50 V
परिचालन तापमान 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 17A (Tc) 20A (Tc) 18A (Tc) 17A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 119 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±25V ±25V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
शृंखला Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™ FDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™
आधार उत्पाद संख्या STB21N STB20 STB21N STB21N
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 600 V 500 V 600 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 190W (Tc) 192W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 270mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V 220mOhm @ 8.5A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

STB21NK50Z डेटशीट पीडीएफ

STB21NK50Z - STMicroelectronics के लिए STB21NK50Z PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन पैकेजिंग
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
STB21NK50Z 18/Jun/2018.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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