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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB26NM60N
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STB26NM60N - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB26NM60N
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB26NM60N
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STB,F,P, W26NM60N.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 7965

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मात्रा

विशेष विवरण

STB26NM60N तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB26NM60N तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB26NM60N के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला MDmesh™ II  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 10A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 140W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1800 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB26  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB26NM60N के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB26NM60N STB27NM60ND STB26N60M2 STB25N80K5
भाग संख्या STB26NM60N STB27NM60ND STB26N60M2 STB25N80K5
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 20A (Tc) 21A (Tc) 20A (Tc) 19.5A (Tc)
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±25V ±25V ±30V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 600 V 600 V 800 V
शृंखला MDmesh™ II Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II MDmesh™ M2 SuperMESH5™
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK D²PAK (TO-263)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 140W (Tc) 160W (Tc) 169W (Tc) 250W (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 60 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 165mOhm @ 10A, 10V 160mOhm @ 10.5A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 260mOhm @ 19.5A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1800 pF @ 50 V 2400 pF @ 50 V 1360 pF @ 100 V 1600 pF @ 100 V
आधार उत्पाद संख्या STB26 STB27N STB26 STB25
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
परिचालन तापमान 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V

STB26NM60N डेटशीट पीडीएफ

STB26NM60N - STMicroelectronics के लिए STB26NM60N PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STB,F,P, W26NM60N.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB26NM60N

STMicroelectronics
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