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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB31N65M5
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STB31N65M5 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB31N65M5
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB31N65M5
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx31N65M5.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 12813

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मात्रा

विशेष विवरण

STB31N65M5 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB31N65M5 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB31N65M5 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला MDmesh™ V  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 148mOhm @ 11A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1865 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB31  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB31N65M5 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB31N65M5 STB33N60DM2 STB32N65M5 STB33N65M2
भाग संख्या STB31N65M5 STB33N60DM2 STB32N65M5 STB33N65M2
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
शृंखला MDmesh™ V MDmesh™ DM2 MDmesh™ V MDmesh™ M2
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±25V ±25V ±25V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 22A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc) 24A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 148mOhm @ 11A, 10V 130mOhm @ 12A, 10V 119mOhm @ 12A, 10V 140mOhm @ 12A, 10V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 150W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc) 190W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 45 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 41.5 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या STB31 STB33 STB32 STB33
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 600 V 650 V 650 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1865 pF @ 100 V 1870 pF @ 100 V 3320 pF @ 100 V 1790 pF @ 100 V
FET फ़ीचर - - - -
परिचालन तापमान 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

STB31N65M5 डेटशीट पीडीएफ

STB31N65M5 - STMicroelectronics के लिए STB31N65M5 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx31N65M5.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB31N65M5

STMicroelectronics
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