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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB40N60M2
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STB40N60M2 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB40N60M2
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB40N60M2
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx40N60M2.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
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मात्रा

विशेष विवरण

STB40N60M2 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB40N60M2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB40N60M2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263)  
शृंखला MDmesh™ II Plus  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 88mOhm @ 17A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 250W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2500 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 57 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 34A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB40  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB40N60M2 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB40N60M2 STB40NF10T4 STB37N60DM2AG STB36NM60N
भाग संख्या STB40N60M2 STB40NF10T4 STB37N60DM2AG STB36NM60N
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 250W (Tc) 150W (Tc) 210W (Tc) 210W (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2500 pF @ 100 V 1780 pF @ 25 V 2400 pF @ 100 V 2722 pF @ 100 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±20V ±25V ±25V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 88mOhm @ 17A, 10V 28mOhm @ 25A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 105mOhm @ 14.5A, 10V
आधार उत्पाद संख्या STB40 STB40N STB37 STB36
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 34A (Tc) 50A (Tc) 28A (Tc) 29A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला MDmesh™ II Plus STripFET™ II Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 100 V 600 V 600 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 57 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 83.6 nC @ 10 V

STB40N60M2 डेटशीट पीडीएफ

STB40N60M2 - STMicroelectronics के लिए STB40N60M2 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx40N60M2.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STB40N60M2

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