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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTB9NK90Z
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STB9NK90Z - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STB9NK90Z
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STB9NK90Z
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
विवरण तालिका
STx9NK90Z.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 15194

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मात्रा

विशेष विवरण

STB9NK90Z तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STB9NK90Z तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STB9NK90Z के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK  
शृंखला SuperMESH™  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.3Ohm @ 3.6A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 160W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2115 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 72 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 900 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STB9  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STB9NK90Z के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STB9NK90Z STB9NK60ZT4 STB9NK60ZDT4 STB9NK50ZT4
भाग संख्या STB9NK90Z STB9NK60ZT4 STB9NK60ZDT4 STB9NK50ZT4
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±30V ±30V ±30V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc) 7.2A (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 850mOhm @ 3.6A, 10V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 72 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 900 V 600 V 600 V 500 V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2115 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V
आधार उत्पाद संख्या STB9 STB9 STB9N STB9
पैकेज / प्रकरण TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 160W (Tc) 125W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)
शृंखला SuperMESH™ SuperMESH™ SuperFREDmesh™ SuperMESH™
प्रदायक डिवाइस पैकेज D2PAK D2PAK D2PAK D2PAK
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET फ़ीचर - - - -

STB9NK90Z डेटशीट पीडीएफ

STB9NK90Z - STMicroelectronics के लिए STB9NK90Z PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STx9NK90Z.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices 27/Feb/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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