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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTD15N50M2AG
STMicroelectronics
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STD15N50M2AG - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STD15N50M2AG
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STD15N50M2AG
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
विवरण तालिका
STD15N50M2AG.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 50710

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मात्रा

विशेष विवरण

STD15N50M2AG तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STD15N50M2AG तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STD15N50M2AG के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-PAK (TO-252)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 85W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 530 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 13 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STD15  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STD15N50M2AG के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STD15N50M2AG STD150NH02LT4 STD15P6F6AG STD15N60M2-EP
भाग संख्या STD15N50M2AG STD150NH02LT4 STD15P6F6AG STD15N60M2-EP
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
पैकेज / प्रकरण TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 500 V 24 V 60 V 600 V
FET फ़ीचर - - - -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 530 pF @ 100 V 4450 pF @ 15 V 340 pF @ 48 V 590 pF @ 100 V
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±20V ±25V
शृंखला Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2 STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 MDmesh™ M2-EP
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 1.8V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 13 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 5V, 10V 10V 10V
आधार उत्पाद संख्या STD15 STD15 STD15 STD15
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 85W (Tc) 125W (Tc) 35W (Tc) 110W (Tc)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 380mOhm @ 5A, 10V 3.5mOhm @ 75A, 10V 160mOhm @ 5A, 10V 378mOhm @ 5.5A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज D-PAK (TO-252) DPAK DPAK DPAK
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 10A (Tc) 150A (Tc) 10A (Tc) 11A (Tc)
FET प्रकार N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STD15N50M2AG डेटशीट पीडीएफ

STD15N50M2AG - STMicroelectronics के लिए STD15N50M2AG PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STD15N50M2AG.pdf
पीसीएन पैकेजिंग
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Assembly Site 07/Nov/2022.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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