Name: STMicroelectronics STI18N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STI18N65M2
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

विशेष विवरण

STI18N65M2 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STI18N65M2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STI18N65M2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	STMicroelectronics
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±25V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	I2PAK
शृंखला	MDmesh™ M2
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	330mOhm @ 6A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	110W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	770 pF @ 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	20 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	12A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	STI18

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

STI18N65M2 - STMicroelectronics

विशेष विवरण

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उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	STI18N65M2	STI175N4F6AG	STI20N65M5	STI150N10F7
उत्पादक	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
शृंखला	MDmesh™ M2	STripFET™ F6	MDmesh™ V	STripFET™
पैकेज / प्रकरण	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	20 nC @ 10 V	130 nC @ 10 V	36 nC @ 10 V	117 nC @ 10 V
वीजीएस (मैक्स)	±25V	±20V	±25V	±20V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	12A (Tc)	120A (Tc)	18A (Tc)	110A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज	I2PAK	I2PAK (TO-262)	I2PAK (TO-262)	I2PAK (TO-262)
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	4.5V @ 250µA	5V @ 250µA	4.5V @ 250µA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	110W (Tc)	190W (Tc)	130W (Tc)	250W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	STI18	STI175N	STI20	STI150
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	650 V	40 V	650 V	100 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	330mOhm @ 6A, 10V	2.7mOhm @ 60A, 10V	190mOhm @ 9A, 10V	4.2mOhm @ 55A, 10V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	770 pF @ 100 V	7735 pF @ 20 V	1434 pF @ 100 V	8115 pF @ 50 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
FET फ़ीचर	-	-	-	-

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।वापस करना

STI18N65M2 - STMicroelectronics

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समान विनिर्देशों के साथ भाग

STI18N65M2 डेटशीट पीडीएफ

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डिलीवरी का समय

वितरण लागत

डिलिवरी विधि

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