Name: STMicroelectronics STP7NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP7NM60N

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	STMicroelectronics
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±25V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220
शृंखला	MDmesh™ II
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	900mOhm @ 2.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	45W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	363 pF @ 50 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	14 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	5A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	STP7N

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	STP7NM60N	STP7NK40Z	STP80N6F6	STP80N10F7
उत्पादक	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	363 pF @ 50 V	535 pF @ 25 V	7480 pF @ 25 V	3100 pF @ 50 V
शृंखला	MDmesh™ II	SuperMESH™	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	DeepGATE™, STripFET™ VII
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	5A (Tc)	5.4A (Tc)	110A (Tc)	80A (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-220	TO-220	TO-220	TO-220
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
FET फ़ीचर	-	-	-	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	4.5V @ 50µA	4.5V @ 250µA	4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	14 nC @ 10 V	26 nC @ 10 V	122 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	45W (Tc)	70W (Tc)	120W (Tc)	110W (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	STP7N	STP7NK40	STP80N	STP80
वीजीएस (मैक्स)	±25V	±30V	±20V	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	900mOhm @ 2.5A, 10V	1Ohm @ 2.7A, 10V	5.8mOhm @ 50A, 10V	10mOhm @ 40A, 10V
पैकेज / प्रकरण	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
परिचालन तापमान	150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	600 V	400 V	60 V	100 V

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