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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादडायोड - रेक्टीफायर - एकलSTPSC10H065DI
STMicroelectronics
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STPSC10H065DI - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STPSC10H065DI
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STPSC10H065DI
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-2 Insulated, TO-220AC
विवरण तालिका
STPSC10H065.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

STPSC10H065DI तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STPSC10H065DI तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STPSC10H065DI के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.75 V @ 10 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 650 V  
प्रौद्योगिकी SiC (Silicon Carbide) Schottky  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC ins  
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
शृंखला -  
पैकेज / प्रकरण TO-220-2 Insulated, TO-220AC  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -40°C ~ 175°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 100 µA @ 650 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 10A  
समाई @ वीआर, एफ -  
आधार उत्पाद संख्या STPSC10  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STPSC10H065DI के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STPSC10H065DI STPSC10H12B2-TR STPSC10065D STPSC1006D
भाग संख्या STPSC10H065DI STPSC10H12B2-TR STPSC10065D STPSC1006D
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.75 V @ 10 A 1.5 V @ 10 A 1.45 V @ 10 A 1.75 V @ 10 A
समाई @ वीआर, एफ - 725pF @ 0V, 1MHz 670pF @ 0V, 1MHz 650pF @ 0V, 1MHz
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 650 V 1200 V 650 V 600 V
शृंखला - ECOPACK®2 ECOPACK®2 -
पैकेट Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
पैकेज / प्रकरण TO-220-2 Insulated, TO-220AC TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-2 TO-220-2
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC ins DPAK HV TO-220AC TO-220AC
प्रौद्योगिकी SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C
आधार उत्पाद संख्या STPSC10 STPSC10 STPSC10065 STPSC1006
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 10A 10A 10A 10A
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 100 µA @ 650 V 60 µA @ 1200 V 130 µA @ 650 V 300 µA @ 600 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole

STPSC10H065DI डेटशीट पीडीएफ

STPSC10H065DI - STMicroelectronics के लिए STPSC10H065DI PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STPSC10H065.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
IPD/15/9230 11/May/2015.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Manufacturing Extension 03/Jun/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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