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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादडायोड - रेक्टीफायर - एकलSTPSC8H065DLF
STMicroelectronics
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STPSC8H065DLF - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STPSC8H065DLF
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STPSC8H065DLF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-PowerVDFN
विवरण तालिका
STPSC8H065DLF Datasheet.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

STPSC8H065DLF तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STPSC8H065DLF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STPSC8H065DLF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.55 V @ 8 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 650 V  
प्रौद्योगिकी SiC (Silicon Carbide) Schottky  
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerFlat™ (8x8) HV  
गति No Recovery Time > 500mA (Io)  
शृंखला ECOPACK®2  
रिवर्स वसूली समय (trr) 0 ns  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेज / प्रकरण 8-PowerVDFN  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -40°C ~ 175°C  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 80 µA @ 650 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 8A  
समाई @ वीआर, एफ 460pF @ 0V, 1MHz  
आधार उत्पाद संख्या STPSC8  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STPSC8H065DLF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STPSC8H065DLF STPSC8H065D STPSC8H065G-TR STPSC6H12B-TR1
भाग संख्या STPSC8H065DLF STPSC8H065D STPSC8H065G-TR STPSC6H12B-TR1
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
प्रदायक डिवाइस पैकेज PowerFlat™ (8x8) HV TO-220AC D²PAK DPAK
शृंखला ECOPACK®2 - - -
गति No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 8A 8A 8A 6A
पैकेज / प्रकरण 8-PowerVDFN TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
समाई @ वीआर, एफ 460pF @ 0V, 1MHz 414pF @ 0V, 1MHz 414pF @ 0V, 1MHz 330pF @ 0V, 1MHz
प्रौद्योगिकी SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 80 µA @ 650 V 80 µA @ 650 V 80 µA @ 650 V 400 µA @ 1200 V
रिवर्स वसूली समय (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.55 V @ 8 A 1.75 V @ 8 A 1.75 V @ 8 A 1.9 V @ 6 A
आधार उत्पाद संख्या STPSC8 STPSC8 STPSC8 STPSC6
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 650 V 650 V 650 V 1200 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C -40°C ~ 175°C
पैकेट Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STPSC8H065DLF डेटशीट पीडीएफ

STPSC8H065DLF - STMicroelectronics के लिए STPSC8H065DLF PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STPSC8H065DLF Datasheet.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Manufacturing Extension 03/Jun/2021.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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