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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTU9N60M2
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STU9N60M2 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STU9N60M2
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STU9N60M2
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
विवरण तालिका
ST(D,P,U)9N60M2.pdf
RoHs स्थिति
तुलना
स्टॉक में: 77900

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मात्रा

विशेष विवरण

STU9N60M2 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STU9N60M2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STU9N60M2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251 (IPAK)  
शृंखला MDmesh™ II Plus  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 780mOhm @ 3A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 60W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 320 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 10 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.5A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STU9N60  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STU9N60M2 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STU9N60M2 STU8NM50N STU90N4F3 STU95N2LH5
भाग संख्या STU9N60M2 STU8NM50N STU90N4F3 STU95N2LH5
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 10 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 13.4 nC @ 5 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 780mOhm @ 3A, 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 6.5mOhm @ 40A, 10V 4.9mOhm @ 40A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-251 (IPAK) I-PAK I-PAK TO-251 (IPAK)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 5V, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आधार उत्पाद संख्या STU9N60 STU8N STU90 STU95
FET फ़ीचर - - - -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 500 V 40 V 25 V
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
परिचालन तापमान 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
शृंखला MDmesh™ II Plus MDmesh™ II STripFET™ III STripFET™ V
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±25V ±20V ±25V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 320 pF @ 100 V 364 pF @ 50 V 2200 pF @ 25 V 1817 pF @ 25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 5.5A (Tc) 5A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
पैकेज / प्रकरण TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 60W (Tc) 45W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)

STU9N60M2 डेटशीट पीडीएफ

STU9N60M2 - STMicroelectronics के लिए STU9N60M2 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
ST(D,P,U)9N60M2.pdf
पीसीएन डिजाइन/विनिर्देश
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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STU9N60M2

STMicroelectronics
32D-STU9N60M2

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