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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSTWA48N60DM2
STMicroelectronics
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STWA48N60DM2 - STMicroelectronics

उत्पादक भाग संख्या
STWA48N60DM2
उत्पादक
STMicroelectronics
Allelco भाग संख्या
32D-STWA48N60DM2
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 600V 40A TO247
पैकेज
TO-247-3
विवरण तालिका
STWA48N60DM2.pdf
RoHs स्थिति
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विशेष विवरण

STWA48N60DM2 तकनीकी विनिर्देश
STMicroelectronics - STWA48N60DM2 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और STMicroelectronics - STWA48N60DM2 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक STMicroelectronics  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±25V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247 Long Leads  
शृंखला MDmesh™ DM2  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 79mOhm @ 20A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 300W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-247-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3250 pF @ 100 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 70 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या STWA48  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में STMicroelectronics STWA48N60DM2 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता STWA48N60DM2 STWA88N65M5 STWA65N60DM6 STWA57N65M5
भाग संख्या STWA48N60DM2 STWA88N65M5 STWA65N60DM6 STWA57N65M5
उत्पादक STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
शृंखला MDmesh™ DM2 MDmesh™ V MDmesh™ DM6 MDmesh™ V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 3250 pF @ 100 V 8825 pF @ 100 V - 4200 pF @ 100 V
पैकेज / प्रकरण TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
वीजीएस (मैक्स) ±25V ±25V ±25V ±25V
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
आधार उत्पाद संख्या STWA48 STWA88 STWA65 STWA57
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 70 nC @ 10 V 204 nC @ 10 V - 98 nC @ 10 V
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V - 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 5V @ 250µA 5V @ 250µA - 5V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 40A (Tc) 84A (Tc) 38A (Tc) 42A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 300W (Tc) 450W (Tc) - 250W (Tc)
पैकेट Tube Tube Tube Tube
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-247 Long Leads TO-247-3 TO-247 Long Leads TO-247
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 79mOhm @ 20A, 10V 29mOhm @ 42A, 10V - 63mOhm @ 21A, 10V
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 600 V 650 V 600 V 650 V

STWA48N60DM2 डेटशीट पीडीएफ

STWA48N60DM2 - STMicroelectronics के लिए STWA48N60DM2 PDF DataSheets और STMicroelectronics प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
STWA48N60DM2.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Wafer 15/Feb/2019.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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