GP1M008A025PG तकनीकी विनिर्देश
Global Power Technologies Group - GP1M008A025PG तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Global Power Technologies Group - GP1M008A025PG के समान विनिर्देशों के साथ भागों
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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उत्पादक | SemiQ | |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 250µA | |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V | |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | I-PAK | |
शृंखला | - | |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 600 mOhm @ 4A, 10V | |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 52W (Tc) | |
पैकेजिंग | Tube | |
पैकेज / प्रकरण | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
दुसरे नाम | 1560-1166-1 1560-1166-1-ND 1560-1166-5 |
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परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) |
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 423pF @ 25V | |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 8.4nC @ 10V | |
FET प्रकार | N-Channel | |
FET फ़ीचर | - | |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 250V | |
विस्तृत विवरण | N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK | |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 8A (Tc) |
दाईं ओर के तीन भागों में Global Power Technologies Group GP1M008A025PG के समान विनिर्देश हैं।
उत्पाद विशेषता | ![]() |
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भाग संख्या | GP1M008A025PG | GP1M018A020PG | GP1M003A090PH | GP1S092HCPI |
उत्पादक | Global Power Technologies Group | Global Power Technologies Group | Global Power Technologies Group | Sharp Microelectronics |
FET फ़ीचर | - | - | - | - |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 8A (Tc) | 18A (Tc) | 2.5A (Tc) | - |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 250V | 200V | 900V | - |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | I-PAK | I-PAK | I-PAK | - |
पैकेज / प्रकरण | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 4-SMD |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | - |
FET प्रकार | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
वीजीएस (मैक्स) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
विस्तृत विवरण | N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK | N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 10V | 10V | 10V | - |
परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -25°C ~ 85°C |
शृंखला | - | - | - | - |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 52W (Tc) | 94W (Tc) | 94W (Tc) | - |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 8.4nC @ 10V | 18nC @ 10V | 17nC @ 10V | - |
दुसरे नाम | 1560-1166-1 1560-1166-1-ND 1560-1166-5 |
1560-1190-1 1560-1190-1-ND 1560-1190-5 |
1560-1158-1 1560-1158-1-ND 1560-1158-5 |
- |
पैकेजिंग | Tube | Tube | Tube | - |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 423pF @ 25V | 950pF @ 25V | 748pF @ 25V | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 600 mOhm @ 4A, 10V | 170 mOhm @ 9A, 10V | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V | - |
GP1M008A025PG - Global Power Technologies Group के लिए GP1M008A025PG PDF DataSheets और Global Power Technologies Group प्रलेखन डाउनलोड करें।
सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
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क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
ब्राज़िल | 7 | |
यूरोप | जर्मनी | 5 |
यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
इटली | 5 | |
ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
न्यूज़ीलैंड | 5 | |
एशिया | भारत | 4 |
जापान | 4 | |
मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
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शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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