1N4001G तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - 1N4001G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - 1N4001G के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1 V @ 1 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 50 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-41 | |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-204AL, DO-41, Axial |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 175°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 50 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N400 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions 1N4001G के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 1N4001G | 1N4001-T | 1N4001G-T | 1N4001-TP |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Micro Commercial Co |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-41 | DO-41 | DO-41 | DO-41 |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N400 | 1N4001 | 1N4001 | 1N4001 |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| समाई @ वीआर, एफ | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | - |
| शृंखला | - | - | - | - |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| पैकेज / प्रकरण | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
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1N4001-M1TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N4001IDLUMILEDS
1N4001/DSR1A1N4001-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A DO411N4001FSHIKUES1N4001/M1STAR/DC1N4001G-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A DO411N4001-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 50V 1A DO411N4001WSTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N4001WRectron USADIODE GEN 1A 50V SOD-123F1N4001F M1PLINGSEMIC1N4001GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL1N4001G M1SHIKUES1N4001-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL1N4001-TRectron USADIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
1N4001GonsemiDIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL
1N4001GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL1N4001RLGonsemiDIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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