1N4448W तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - 1N4448W तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - 1N4448W के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1 V @ 10 mA | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 75 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOD-123 | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 4 ns |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेज / प्रकरण | SOD-123 | |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 75 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 250mA | |
| समाई @ वीआर, एफ | 4pF @ 0V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N4448 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions 1N4448W के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 1N4448W | 1N4448W | 1N4448TR | 1N4448TR |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 250mA | 250mA | 200mA | 150mA |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 75 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| समाई @ वीआर, एफ | 4pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
| पैकेज / प्रकरण | SOD-123 | SOD-123 | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1 V @ 10 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 8 ns |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOD-123 | SOD-123 | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| शृंखला | - | - | - | - |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 75 V | 200 nA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V |
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1N4448WYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 100V 250MA SOD1231N4448TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 150MA DO351N4448W T5CJ
1N4448TRFairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE
1N4448HWS-7-GDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 250MA SOD3231N4448HWS-7-G-81Diodes Incorporated1N4448LBL1N4448WDiotec SemiconductorDIODE SOD-123 100V 0.15A 4NS1N4448HWT-7-FMSV1N4448W D2
1N4448WTaiwan Semiconductor CorporationSOD-123F, 75V, 0.15A, SWITCHING
1N4448W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
1N4448W-7-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD1231N4448W RHTaiwan Semiconductor
1N4448HWT-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA SOD5231N4448W-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
1N4448W-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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