1N5402G तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - 1N5402G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - 1N5402G के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.1 V @ 3 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 200 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tape & Box (TB) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 200 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 30pF @ 4V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N540 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions 1N5402G के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 1N5402G | 1N5404 | 1N5404 | 1N5402 |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | MDD | Fairchild Semiconductor | SMC Diode Solutions |
| समाई @ वीआर, एफ | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | DO-27 (DO-201AD) | DO-201 | DO-201AD |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 200 V | 400 V | 400 V | 200 V |
| पैकेट | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Bulk | Cut Tape (CT) |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 200 V | - | 500 nA @ 400 V | 5 µA @ 200 V |
| शृंखला | - | DO-27 | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N540 | - | 1N5404 | 1N540 |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
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1N5404MDDDIODE GEN PURP 400V 3A DO271N5404Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5402SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5403RLGAMI Semiconductor/onsemi1N5402RLGonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
1N5402-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO2011N5402Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 3A DO201
1N5402-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
1N5402onsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5402GonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL1N5402NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD1N5403-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD1N5404Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 3A DO2011N5404NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD1N5402RLonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL1N5402 T/BPANJIT
1N5402GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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