1N5408 तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - 1N5408 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - 1N5408 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.2 V @ 3 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 1000 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Cut Tape (CT) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 175°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 1000 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 30pF @ 0V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N540 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions 1N5408 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 1N5408 | 1N5408G | 1N5408 | 1N5407RLG |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | onsemi | NTE Electronics, Inc | onsemi |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DO-201AD | Axial | DO-201AD | Axial |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 800 V |
| गति | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| पैकेट | Cut Tape (CT) | Bulk | Bag | Tape & Reel (TR) |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N540 | 1N5408 | - | 1N5407 |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 800 V |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| पैकेज / प्रकरण | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| समाई @ वीआर, एफ | 30pF @ 0V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| शृंखला | - | - | - | - |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
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1N5408 S3MTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5408GonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL1N5408NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5407RLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5407-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407onsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5408onsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408-BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 1000V 3A1N5408-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5407-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
1N5408Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO151N5407-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5407Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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