1N5819W तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - 1N5819W तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - 1N5819W के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 500 mV @ 1 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 40 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOD-123FL | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | SOD-123F |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 100 µA @ 40 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 110pF @ 4V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N5819 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions 1N5819W के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | 1N5819W | 1N5819UR-1 | 1N5819RLG | 1N5819RL |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Microchip Technology | onsemi | STMicroelectronics |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| आधार उत्पाद संख्या | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 | 1N5819 |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 40 V | 45 V | 40 V | 40 V |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 500 mV @ 1 A | 490 mV @ 1 A | 600 mV @ 1 A | 550 mV @ 1 A |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 100 µA @ 40 V | 50 µA @ 45 V | 1 mA @ 40 V | 500 µA @ 40 V |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | SOD-123FL | DO-213AB (MELF, LL41) | Axial | DO-41 |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | 150°C (Max) |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| समाई @ वीआर, एफ | 110pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 5V, 1MHz | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | SOD-123F | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| शृंखला | - | - | - | - |
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1N5819UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB1N5819W SLDC
1N5819W-7Diodes Incorporated1N5819TGKEFAN1N5819W S4CJ1N5819T3G1N5819W B5819WCJ
1N5819T1GAMI Semiconductor/onsemi1N5819WSSIPUSEMI1N5819S S4CJ1N5819WLLISION
1N5819T1G/1N5819TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5819RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL1N5819W SL 1ACJ1N5819W S4 SLCJ1N5819WS S4CJ1N5819RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO411N5819T1AMI Semiconductor/onsemi| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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