MBR20100CTP तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - MBR20100CTP तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - MBR20100CTP के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 900 mV @ 10 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tube | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | MBR20100 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions MBR20100CTP के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | MBR20100CTP | MBR20100CTP | MBR20100CTF-G1 | MBR20100CTTU |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Littelfuse Inc. | Diodes Incorporated | Fairchild Semiconductor |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | 10A | 10A | 10A |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| पैकेट | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| आधार उत्पाद संख्या | MBR20100 | - | MBR20100 | - |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| शृंखला | - | MBR | Automotive, AEC-Q101 | - |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 900 mV @ 10 A | 900 mV @ 10 A | 840 mV @ 10 A | 800 mV @ 10 A |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 100 V | 50 µA @ 100 V | 200 µA @ 100 V |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | TO-220AB | TO-220F-3 | TO-220-3 |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | 150°C (Max) |
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MBR20100CTPLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB
MBR20100CTKPIR
MBR20100CTKPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBR20100CTF-G1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220ABMBR20100CTD
MBR20100CTG B20100GAMI Semiconductor/onsemiMBR20100CTTUFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHAMBR20100CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
MBR20100CTTUonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR20100CTLDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY TO220MBR20100DCPEC
MBR20100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR20100CTPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220MBR20100CT_T0_00101PANJITMBR20100CTFAAT
MBR20100CTWLITEONMBR20100DTMSVMBR20100CT_T0_00001Panjit International Inc.TO-220AB, SKY| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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