MBR40100CT तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - MBR40100CT तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - MBR40100CT के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 880 mV @ 20 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tube | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | MBR40100 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions MBR40100CT के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | MBR40100CT | MBR40100PT | MBR40020CT | MBR40150PT |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Taiwan Semiconductor Corporation | GeneSiC Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| आधार उत्पाद संख्या | MBR40100 | MBR40100 | MBR40020 | MBR40150 |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 880 mV @ 20 A | - | 650 mV @ 200 A | 1.01 V @ 40 A |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | TO-247AD (TO-3P) | Twin Tower | TO-247AD (TO-3P) |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | 100 V | 20 V | 150 V |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| शृंखला | - | - | - | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | 40A | 200A | 40A |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | 500 µA @ 100 V | 5 mA @ 20 V | 100 µA @ 150 V |
| पैकेट | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 | TO-247-3 | Twin Tower | TO-247-3 |
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MBR40100PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
MBR40100WTLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO247AD
MBR40100PTYangjie TechnologyTO-247AB 100V 40A Diodes RectiMBR40100CLUTCMBR40020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 20V 200A 2TOWERMBR40150PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO247MBR40040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 40V 200A 2TOWERMBR40045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 200A 2TOWERMBR40100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR40080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 200A 2TOWERMBR40035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 200A 2TOWERMBR40150CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220
MBR40100WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247
MBR4015CTLonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220ABMBR40150PTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR4015CTLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220ABMBR40060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 200A 2TOWERMBR40030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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