MBR60100CT तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - MBR60100CT तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - MBR60100CT के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 900 mV @ 30 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tube | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | MBR60100 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions MBR60100CT के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | MBR60100CT | MBR60030CT | MBR600100CT | MBR60100CT-E3/45 |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 100 µA @ 100 V |
| पैकेट | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 900 mV @ 30 A | 750 mV @ 300 A | 880 mV @ 300 A | 820 mV @ 30 A |
| शृंखला | - | - | - | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | 300A | 300A | 30A |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 | Twin Tower | Twin Tower | TO-220-3 |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | Twin Tower | Twin Tower | TO-220-3 |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 100 V | 30 V | 100 V | 100 V |
| आधार उत्पाद संख्या | MBR60100 | MBR60030 | MBR600100 | MBR60 |
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MBR60030CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 30V 300A 2TOWERMBR60100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5MBR600100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
MBR6015LMOTOROLAIGBT ModuleMBR6015MOTOROLAIGBT ModuleMBR5H200SSPANJITMBR60100CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR60100PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247MBR60060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 300A 2TOWERMBR60045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 300A 2TOWERMBR60150PTPANJITMBR60035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 300A 2TOWERMBR601200CTIXFNIGBT ModuleMBR6025MOTOROLAIGBT ModuleMBR600200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWERMBR6025LMOTOROLAIGBT ModuleMBR6020GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 60A DO5
MBR60200PTAMI Semiconductor/onsemi| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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