MBRD835 तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - MBRD835 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - MBRD835 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 510 mV @ 8 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 35 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DPAK | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1.4 mA @ 35 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | - | |
| समाई @ वीआर, एफ | 600pF @ 4V, 1MHz | |
| आधार उत्पाद संख्या | MBRD835 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions MBRD835 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | MBRD835 | MBRD835L | MBRD835LG | MBRD835L-T |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | onsemi | Fairchild Semiconductor | Diodes Incorporated |
| समाई @ वीआर, एफ | 600pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V | 1.4 mA @ 35 V |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A | 510 mV @ 8 A |
| पैकेट | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| शृंखला | - | SWITCHMODE™ | SWITCHMODE™ | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | - | 8A | 8A | 8A |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 35 V | 35 V | 35 V | 35 V |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | DPAK | DPAK | DPAK | TO-252, (D-Pak) |
| आधार उत्पाद संख्या | MBRD835 | MBRD835 | - | MBRD835 |
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MBRD660CTPBFElectro-Films (EFI) / Vishay
MBRD6U60CT-RTF/HKECMBRD660CTT4GonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
MBRD835L-T4AMI Semiconductor/onsemiMBRD835LonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LGFairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD660CTT4onsemiDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660LT1GAMI Semiconductor/onsemiMBRD835L-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252MBRD835-G-T4SSMBRD835LT4onsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835L MOSAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTGFairchild SemiconductorSCHOTTKY POWER RECTIFIER, SWITCHMBRD660CTT4G B660TGAMI Semiconductor/onsemiMBRD660CTRLGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAKMBRD660LT4GAMI Semiconductor/onsemiMBRD835LGonsemiDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAKMBRD835LTAMI Semiconductor/onsemi| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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