SBR1060CT तकनीकी विनिर्देश
SMC Diode Solutions - SBR1060CT तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और SMC Diode Solutions - SBR1060CT के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions) | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 750 mV @ 5 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 60 V | |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tube | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 60 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | SBR1060 |
दाईं ओर के तीन भागों में SMC Diode Solutions SBR1060CT के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | SBR1060CT | SBR1045CTLQ-13 | SBR1060CT | SBR1060CTFP |
| उत्पादक | SMC Diode Solutions | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | TO-220AB | TO-252-3 | TO-220-3 | ITO-220AB |
| प्रौद्योगिकी | Schottky | Super Barrier | Super Barrier | Super Barrier |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 750 mV @ 5 A | 550 mV @ 5 A | 680 mV @ 5 A | 680 mV @ 5 A |
| पैकेज / प्रकरण | TO-220-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| पैकेट | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| डायोड विन्यास | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| शृंखला | - | SBR® | SBR® | SBR® |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 60 V | 45 V | 60 V | 60 V |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| माउन्टिंग का प्रकार | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| आधार उत्पाद संख्या | SBR1060 | SBR1045 | SBR1060 | SBR1060 |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) | - | 10A | 5A | 5A |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 1 mA @ 60 V | 300 µA @ 45 V | 500 µA @ 60 V | 500 µA @ 60 V |
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SBR10E45P5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5SBR10A45SP5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5
SBR108T4AMI Semiconductor/onsemiSBR1045D1-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A TO252SBR10A45SP5Q-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5 T&RSBR10B45P5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5SBR1045CTLQ-13Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 45V 10A TO252
SBR1045D1QDiodes IncorporatedSBR10B45P5-13DDiodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5SBR1060CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 60V 5A TO220AB
SBR1045LLRCSBR1060CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SBR 60V 5A ITO220ABSBR1045SP5Q-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI 5SBR1045D1Q-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A TO252-3SBR1045SP5QDiodes Incorporated
SBR1060Taiwan SemiconductorSBR1045SP5-13Diodes IncorporatedDIODE SBR 45V 10A POWERDI5SBR1060CTFDiodes Incorporated| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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