ES1JL R3G तकनीकी विनिर्देश
TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Taiwan Semiconductor | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.7V @ 1A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 600V | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Sub SMA | |
| गति | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 35ns | |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | |
| पैकेज / प्रकरण | DO-219AB | |
| दुसरे नाम | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 21 Weeks | |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
| डायोड प्रकार | Standard | |
| विस्तृत विवरण | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5µA @ 600V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | |
| समाई @ वीआर, एफ | 8pF @ 4V, 1MHz |
दाईं ओर के तीन भागों में TSC (Taiwan Semiconductor) ES1JL R3G के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | ES1JL R3G | ES1JFL | ES1J-TP | ES1JFL |
| उत्पादक | TSC (Taiwan Semiconductor) | onsemi | Micro Commercial Co | Taiwan Semiconductor Corporation |
| पैकेजिंग | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| निर्माता मानक लीड टाइम | 21 Weeks | - | - | - |
| पैकेज / प्रकरण | DO-219AB | SOD-123F | DO-214AC, SMA | SOD-123F |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A | 1.35 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| शृंखला | - | - | - | - |
| डायोड प्रकार | Standard | - | - | - |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| विस्तृत विवरण | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| समाई @ वीआर, एफ | 8pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | Sub SMA | SOD-123F | DO-214AC (HSMA) | SOD-123F |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 600V | 600 V | 600 V | 600 V |
| गति | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| दुसरे नाम | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
- | - | - |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 35ns | 35 ns | 75 ns | 35 ns |
| लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 5µA @ 600V | 500 nA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V |
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ES1JFLonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FES1JL-04RUTaiwan Semiconductor
ES1J-R1PANJITES1J_R1PANJITES1JS T/RPANJITES1JHFPANJITES1JL_RUGTaiwan SemiconductorES1JHR2GTaiwan SemiconductorES1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACES1JL-40 RUES1JFLTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FES1JF R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
ES1J_NLFairchild (onsemi)ES1J-SMAG-T5MDD
ES1J_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 600V 1A SMAES1JAFonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ADES1JT/RPANJITES1JT/R/ES1JTOSHIBA/PANJIT/XX| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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