TPC8208(TE12L,Q) तकनीकी विनिर्देश
Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q) तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q) के समान विनिर्देशों के साथ भागों
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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उत्पादक | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1.2V @ 200µA | |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SOP (5.5x6.0) | |
शृंखला | - | |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 50 mOhm @ 2.5A, 4V | |
पावर - मैक्स | 450mW | |
पैकेजिंग | Original-Reel® | |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | |
दुसरे नाम | TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ |
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परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount |
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 780pF @ 10V | |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 9.5nC @ 5V | |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) | |
FET फ़ीचर | Logic Level Gate | |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V | |
विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5A | |
आधार भाग संख्या | TPC*208 |
दाईं ओर के तीन भागों में Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208(TE12L,Q) के समान विनिर्देश हैं।
उत्पाद विशेषता | ![]() |
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भाग संख्या | TPC8208(TE12L,Q) | TPC8208(TE12L,Q,M) | TPC8207(TE12L) | TPC8207. |
उत्पादक | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
FET फ़ीचर | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
आधार भाग संख्या | TPC*208 | - | - | - |
पावर - मैक्स | 450mW | 450mW | 750mW | - |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
FET प्रकार | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | 8-SOP (5.5x6.0) | 8-SOP (5.5x6.0) | 8-SOP (5.5x6.0) | - |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
पैकेजिंग | Original-Reel® | - | - | - |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 9.5nC @ 5V | 9.5nC @ 5V | 22nC @ 5V | - |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
पैकेज / प्रकरण | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | - |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 20V | 20V | 20V | - |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5A | 5A | 6A | - |
दुसरे नाम | TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ |
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विस्तृत विवरण | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | - | - | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 50 mOhm @ 2.5A, 4V | 50mOhm @ 2.5A, 4V | 20mOhm @ 4.8A, 4V | - |
शृंखला | - | - | - | - |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 780pF @ 10V | 780pF @ 10V | 2010pF @ 10V | - |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 1.2V @ 200µA | 1.2V @ 200µA | 1.2V @ 200µA | - |
TPC8208(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage के लिए TPC8208(TE12L,Q) PDF DataSheets और Toshiba Semiconductor and Storage प्रलेखन डाउनलोड करें।
सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
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क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
ब्राज़िल | 7 | |
यूरोप | जर्मनी | 5 |
यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
इटली | 5 | |
ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
न्यूज़ीलैंड | 5 | |
एशिया | भारत | 4 |
जापान | 4 | |
मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
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शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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