TPCF8107,LF तकनीकी विनिर्देश
Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF के समान विनिर्देशों के साथ भागों
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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उत्पादक | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2V @ 100µA | |
वीजीएस (मैक्स) | +20V, -25V | |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | VS-8 (2.9x1.5) | |
शृंखला | U-MOSVI | |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 28 mOhm @ 3A, 10V | |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 700mW (Ta) | |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) | |
पैकेज / प्रकरण | 8-SMD, Flat Lead | |
दुसरे नाम | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
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परिचालन तापमान | 150°C (TJ) |
उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
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माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 970pF @ 10V | |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 22nC @ 10V | |
FET प्रकार | P-Channel | |
FET फ़ीचर | - | |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V | |
विस्तृत विवरण | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 6A (Ta) |
दाईं ओर के तीन भागों में Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF के समान विनिर्देश हैं।
उत्पाद विशेषता | ||||
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भाग संख्या | TPCF8107,LF | TPCF8108LF | TPCF8108 | TPCF8108(TE85L,F,M) |
उत्पादक | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | TOSHIBA/TUBE | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस | 970pF @ 10V | - | - | - |
लीड फ्री स्टेटस / आरओएचएस स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) | 30V | - | - | - |
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) | 4.5V, 10V | - | - | - |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 22nC @ 10V | - | - | - |
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र | 2V @ 100µA | - | - | - |
प्रदायक डिवाइस पैकेज | VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
पैकेज / प्रकरण | 8-SMD, Flat Lead | - | - | - |
दुसरे नाम | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
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विस्तृत विवरण | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
प्रौद्योगिकी | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
पैकेजिंग | Cut Tape (CT) | - | - | - |
वीजीएस (मैक्स) | +20V, -25V | - | - | - |
माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | - | - | - |
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 6A (Ta) | - | - | - |
परिचालन तापमान | 150°C (TJ) | - | - | - |
FET फ़ीचर | - | - | - | - |
FET प्रकार | P-Channel | - | - | - |
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) | 700mW (Ta) | - | - | - |
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस | 28 mOhm @ 3A, 10V | - | - | - |
शृंखला | U-MOSVI | - | - | - |
TPCF8107,LF - Toshiba Semiconductor and Storage के लिए TPCF8107,LF PDF DataSheets और Toshiba Semiconductor and Storage प्रलेखन डाउनलोड करें।
सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
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क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
ब्राज़िल | 7 | |
यूरोप | जर्मनी | 5 |
यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
इटली | 5 | |
ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
न्यूज़ीलैंड | 5 | |
एशिया | भारत | 4 |
जापान | 4 | |
मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
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शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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