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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादडायोड - रेक्टीफायर - एकलUG8JT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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UG8JT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

उत्पादक भाग संख्या
UG8JT-E3/45
उत्पादक
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco भाग संख्या
32D-UG8JT-E3/45
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-220-2
विवरण तालिका
UG(F,B)8(H,J)T.pdf
RoHs स्थिति
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मात्रा

विशेष विवरण

UG8JT-E3/45 तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UG8JT-E3/45 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - UG8JT-E3/45 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.75 V @ 8 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 600 V  
प्रौद्योगिकी Standard  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC  
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
शृंखला -  
रिवर्स वसूली समय (trr) 50 ns  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेज / प्रकरण TO-220-2  
पैकेट Tube  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 150°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 30 µA @ 600 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 8A  
समाई @ वीआर, एफ -  
आधार उत्पाद संख्या UG8J  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG8JT-E3/45 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता UG8JT-E3/45 UG8BT-E3/45 1N1343B UG8JHC0G
भाग संख्या UG8JT-E3/45 UG8BT-E3/45 1N1343B UG8JHC0G
उत्पादक Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Solid State Inc. Taiwan Semiconductor Corporation
पैकेज / प्रकरण TO-220-2 TO-220-2 DO-203AA, DO-4, Stud TO-220-2
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 200°C -55°C ~ 150°C
प्रौद्योगिकी Standard Standard Standard Standard
शृंखला - - - Automotive, AEC-Q101
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 600 V 100 V 150 V 600 V
आधार उत्पाद संख्या UG8J UG8B - UG8J
रिवर्स वसूली समय (trr) 50 ns 30 ns - 25 ns
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
पैकेट Tube Tube Box Tube
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 30 µA @ 600 V 10 µA @ 100 V 10 µA @ 150 V 30 µA @ 600 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Stud Mount Through Hole
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 8A 8A 16A 8A
समाई @ वीआर, एफ - - - -
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.75 V @ 8 A 1 V @ 8 A 1.3 V @ 30 A 2.9 V @ 8 A
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC TO-220AC DO-4 TO-220AC

UG8JT-E3/45 डेटशीट पीडीएफ

UG8JT-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division के लिए UG8JT-E3/45 PDF DataSheets और Vishay General Semiconductor - Diodes Division प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
UG(F,B)8(H,J)T.pdf
अन्य संबंधित दस्तावेज
Packaging Information.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices 30/Jul/2018.pdf
पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
EOL NOTICE 23/Aug/2022.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
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शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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