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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादडायोड - रेक्टीफायर - एकलVS-10ETS08-M3
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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VS-10ETS08-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

उत्पादक भाग संख्या
VS-10ETS08-M3
उत्पादक
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco भाग संख्या
32D-VS-10ETS08-M3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC
पैकेज
TO-220-2
विवरण तालिका
VS-10ETS08,12-M3.pdf
RoHs स्थिति
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स्टॉक में: 26332

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विशेष विवरण

VS-10ETS08-M3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-10ETS08-M3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-10ETS08-M3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.1 V @ 10 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 800 V  
प्रौद्योगिकी Standard  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC  
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
शृंखला -  
पैकेज / प्रकरण TO-220-2  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -40°C ~ 150°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 50 µA @ 800 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 10A  
समाई @ वीआर, एफ -  
आधार उत्पाद संख्या 10ETS08  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETS08-M3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता VS-10ETS08-M3 VS-10BQ100PBF VS-10MQ040NPBF VS-10MQ040NTRPBF
भाग संख्या VS-10ETS08-M3 VS-10BQ100PBF VS-10MQ040NPBF VS-10MQ040NTRPBF
उत्पादक Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AC DO-214AA (SMB) DO-214AC (SMA) DO-214AC (SMA)
आधार उत्पाद संख्या 10ETS08 10BQ100 10MQ040 10MQ040
शृंखला - - - -
पैकेज / प्रकरण TO-220-2 DO-214AA, SMB DO-214AC, SMA DO-214AC, SMA
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
प्रौद्योगिकी Standard Schottky Schottky Schottky
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 50 µA @ 800 V 500 µA @ 100 V 500 µA @ 40 V 500 µA @ 40 V
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -40°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 1.1 V @ 10 A 780 mV @ 1 A 540 mV @ 1 A 540 mV @ 1 A
पैकेट Tube Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
समाई @ वीआर, एफ - - - 38pF @ 10V, 1MHz
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 800 V 100 V 40 V 40 V
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) 10A 1A 1.5A 1A

VS-10ETS08-M3 डेटशीट पीडीएफ

VS-10ETS08-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division के लिए VS-10ETS08-M3 PDF DataSheets और Vishay General Semiconductor - Diodes Division प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
VS-10ETS08,12-M3.pdf
PCN अन्य
DD-018-2015-Rev-00 25/May/2015.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices Assembly 19/Jan/2018.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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