VS-26MT20 तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-26MT20 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-26MT20 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स) | 200 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | D-63 | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | 5-Square, D-63 | |
| पैकेट | Bulk |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| माउन्टिंग का प्रकार | QC Terminal | |
| डायोड प्रकार | Three Phase | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 100 µA @ 200 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 25 A | |
| आधार उत्पाद संख्या | 26MT20 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MT20 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | VS-26MT20 | VS-26MT40 | VS-26MT10 | VS-26MB60A |
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| पैकेज / प्रकरण | 5-Square, D-63 | 5-Square, D-63 | 5-Square, D-63 | 4-Square, D-34 |
| शृंखला | - | - | - | - |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | D-63 | D-63 | D-63 | D-34 |
| पैकेट | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| माउन्टिंग का प्रकार | QC Terminal | QC Terminal | QC Terminal | QC Terminal |
| वोल्टेज - पीक रिवर्स (मैक्स) | 200 V | 400 V | 100 V | 600 V |
| परिचालन तापमान | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| आधार उत्पाद संख्या | 26MT20 | 26MT40 | 26MT10 | 26MB60 |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 100 µA @ 200 V | 100 µA @ 400 V | 100 µA @ 100 V | 10 µA @ 600 V |
| डायोड प्रकार | Three Phase | Three Phase | Three Phase | Single Phase |
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VS-26MT40Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 400V 25A D-63
VS-2EFH02HM3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB
VS-2EFH01HM3Electro-Films (EFI) / VishayVS-2EGH02HM3_A/IVishayVS-26MT10Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 100V 25A D-63VS-26MB60AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A D-34VS-2EGH02HM3Electro-Films (EFI) / VishayVS-26MT120VishayVS-26MB40AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A D-34VS-2EFU06HM3Electro-Films (EFI) / VishayVS-26MB80AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A D-34VS-26MT160Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A D-63VS-2EGH01HM3Electro-Films (EFI) / VishayVS-26MB20AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A D-34VS-2EFH02-M3/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO219ABVS-26MT140Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.4KV 25A D-63VS-26MB160AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 1.6KV 25A D-34VS-26MT60Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 600V 25A D-63| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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