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VS-30CTQ040PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

उत्पादक भाग संख्या
VS-30CTQ040PBF
उत्पादक
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco भाग संख्या
32D-VS-30CTQ040PBF
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
VS-30CTQ0(35,40,45)PBF,-N3.pdf
RoHs स्थिति
हमारा प्रमाणन
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विशेष विवरण

VS-30CTQ040PBF तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-30CTQ040PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-30CTQ040PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 620 mV @ 15 A  
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 40 V  
प्रौद्योगिकी Schottky  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3  
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
शृंखला -  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
पैकेट Tube  
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 175°C  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
डायोड विन्यास 1 Pair Common Cathode  
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 2 mA @ 40 V  
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) 15A  
आधार उत्पाद संख्या 30CTQ040  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ040PBF के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता VS-30CTQ040PBF VS-30CPU04-N3 VS-30CPQ150-N3 VS-30CTQ060-M3
भाग संख्या VS-30CTQ040PBF VS-30CPU04-N3 VS-30CPQ150-N3 VS-30CTQ060-M3
उत्पादक Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन -55°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
शृंखला - FRED Pt® - -
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
गति Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
आधार उत्पाद संख्या 30CTQ040 30CPU04 30CPQ150 30CTQ060
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
पैकेट Tube Tube Tube Tube
वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं 620 mV @ 15 A 1.25 V @ 15 A 1.19 V @ 30 A 820 mV @ 30 A
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220-3 TO-247AC TO-247AC TO-220-3
वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर 2 mA @ 40 V 10 µA @ 400 V 100 µA @ 150 V 800 µA @ 60 V
प्रौद्योगिकी Schottky Standard Schottky Schottky
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) 40 V 400 V 150 V 60 V
वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) (डायोड प्रति) 15A 15A 15A 15A
डायोड विन्यास 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode

VS-30CTQ040PBF डेटशीट पीडीएफ

VS-30CTQ040PBF - Vishay General Semiconductor - Diodes Division के लिए VS-30CTQ040PBF PDF DataSheets और Vishay General Semiconductor - Diodes Division प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
VS-30CTQ0(35,40,45)PBF,-N3.pdf
अन्य संबंधित दस्तावेज
Packaging Information.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
Mult Devices Assembly 19/Jan/2018.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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