VS-8EWF04S-M3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWF04S-M3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWF04S-M3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.2 V @ 8 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 400 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | D-PAK (TO-252AA) | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 55 ns |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| पैकेट | Tube | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -40°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 100 µA @ 400 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 8A | |
| समाई @ वीआर, एफ | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | 8EWF04 |
दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWF04S-M3 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | VS-8EWF04S-M3 | VS-8ETH06FPPBF | VS-8ETH03STRRPBF | VS-8EWF02STR-M3 |
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 400 V | 600 V | 300 V | 200 V |
| शृंखला | - | FRED Pt® | Automotive, AEC-Q101, FRED Pt® | - |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -40°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -40°C ~ 150°C |
| रिवर्स वसूली समय (trr) | 55 ns | 25 ns | 27 ns | 55 ns |
| आधार उत्पाद संख्या | 8EWF04 | 8ETH06 | 8ETH03 | 8EWF02 |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | D-PAK (TO-252AA) | TO-220-2 Full Pack | TO-263AB (D²PAK) | D-PAK (TO-252AA) |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| समाई @ वीआर, एफ | - | - | - | - |
| पैकेट | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-2 Full Pack | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.2 V @ 8 A | 2.4 V @ 8 A | 1.25 V @ 8 A | 1.2 V @ 8 A |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 100 µA @ 400 V | 50 µA @ 600 V | 20 µA @ 300 V | 100 µA @ 200 V |
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VS-8ETH06FPPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 600V 8A TO220-2FPVS-8ETH03STRRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 300V 8A TO263ABVS-8EWF02STR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A D-PAKVS-8EWF06STR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVS-8ETH06STRL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABVS-8ETH06PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACVS-8ETU04HN3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACVS-8EWH06FNHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO252VS-8EWF12STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAKVS-8ETH06-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACVS-8ETU12-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
VS-8EWF04S-MElectro-Films (EFI) / VishayVS-8EWF10S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 8A DPAKVS-8EWH06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWF06SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWF12S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252VS-8ETH06SPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A TO263ABVS-8EWH02FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 8A TO252| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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