VS-8EWS12S-M3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWS12S-M3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay General Semiconductor - Diodes Division - VS-8EWS12S-M3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.1 V @ 8 A | |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 1200 V | |
| प्रौद्योगिकी | Standard | |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | D-PAK (TO-252AA) | |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| शृंखला | - | |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| उत्पाद विशेषता | मान बताइए | |
|---|---|---|
| पैकेट | Tube | |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 50 µA @ 1200 V | |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 8A | |
| समाई @ वीआर, एफ | - | |
| आधार उत्पाद संख्या | 8EWS12 |
| गुण | विवरण |
|---|---|
| RoHs स्थिति | |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | 1 (Unlimited) |
| तक पहुँचने की स्थिति | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
दाईं ओर के तीन भागों में Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12S-M3 के समान विनिर्देश हैं।
| उत्पाद विशेषता |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| भाग संख्या | VS-8EWS12S-M3 | VS-8EWS16STRR-M3 | VS-8EWS16STRPBF | VS-8EWS16SLHM3 |
| उत्पादक | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| प्रौद्योगिकी | Standard | Standard | Standard | Standard |
| पैकेट | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| माउन्टिंग का प्रकार | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| प्रदायक डिवाइस पैकेज | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) | D-PAK (TO-252AA) |
| वर्तमान - रिवर्स रिसाव @ वीआर | 50 µA @ 1200 V | 50 µA @ 1600 V | 50 µA @ 1600 V | 50 µA @ 1600 V |
| वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (मैक्स) | 1200 V | 1600 V | 1600 V | 1600 V |
| गति | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C | -40°C ~ 150°C |
| समाई @ वीआर, एफ | - | - | - | - |
| आधार उत्पाद संख्या | 8EWS12 | 8EWS16 | 8EWS16 | 8EWS16 |
| पैकेज / प्रकरण | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| शृंखला | - | FRED Pt® | - | Automotive, AEC-Q101 |
| वर्तमान - औसत रेक्टीफाइड (आईओ) | 8A | 8A | 8A | 8A |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (VF) (मैक्स) @ हैं | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A | 1.1 V @ 8 A |
VS-8EWS12S-M3 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division के लिए VS-8EWS12S-M3 PDF DataSheets और Vishay General Semiconductor - Diodes Division प्रलेखन डाउनलोड करें।
VS-8EWS16STRR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAKVS-8EWS16STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAKVS-8EWS16SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAKVS-8EWH06FNTRLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A D-PAKVS-8EWL06FNTR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWS12SLHM3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAKVS-8EWS08STR-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK
VS-8EWS16STRL-M3VishayVS-8EWL06FN-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 8A DPAKVS-8EWS08STRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWS16S-M3 SeriesElectro-Films (EFI) / VishayVS-8EWS08STRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWS12SPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252VS-8EWS08STRL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A D-PAKVS-8EWS08S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 8A DPAKVS-8EWS16S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252VS-8EWS12STRLPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAKVS-8EWS10STRL-M3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK| सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ | ||
|---|---|---|
| क्षेत्र | देश | लॉजिस्टिक टाइम (दिन) |
| अमेरिका | संयुक्त राज्य अमेरिका | 5 |
| ब्राज़िल | 7 | |
| यूरोप | जर्मनी | 5 |
| यूनाइटेड किंगडम | 4 | |
| इटली | 5 | |
| ओशिनिया | ऑस्ट्रेलिया | 6 |
| न्यूज़ीलैंड | 5 | |
| एशिया | भारत | 4 |
| जापान | 4 | |
| मध्य पूर्व | इजराइल | 6 |
| डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ | |
|---|---|
| शिपमेंट शुल्क | संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $) |
| 0.00 किग्रा -1.00 किग्रा | USD $30.00 - USD $60.00 |
| 1.00 किग्रा -2.00 किग्रा | USD $40.00 - USD $80.00 |
| 2.00 किग्रा -3.00 किग्रा | USD $50.00 - USD $100.00 |
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