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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलIRFB9N65A
Vishay Siliconix
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IRFB9N65A - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
IRFB9N65A
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-IRFB9N65A
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
पैकेज
TO-220-3
विवरण तालिका
IRFB9N65A, SiHFB9N65A.pdf
हमारा प्रमाणन
स्टॉक में: 5310

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विशेष विवरण

IRFB9N65A तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - IRFB9N65A तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - IRFB9N65A के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±30V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB  
शृंखला -  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 930mOhm @ 5.1A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 167W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-220-3  
पैकेट Tube  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1417 pF @ 25 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 48 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.5A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या IRFB9N65  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति RoHS गैर-आज्ञाकारी
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix IRFB9N65A के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता IRFB9N65A IRFB812PBF IRFB9N65APBF IRFBA1405P
भाग संख्या IRFB9N65A IRFB812PBF IRFB9N65APBF IRFBA1405P
उत्पादक Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 48 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
आधार उत्पाद संख्या IRFB9N65 IRFB812 IRFB9 -
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज TO-220AB TO-220AB TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 10V 10V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 930mOhm @ 5.1A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 930mOhm @ 5.1A, 10V 5mOhm @ 101A, 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1417 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 1417 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V
FET फ़ीचर - - - -
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 650 V 500 V 650 V 55 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8.5A (Tc) 3.6A (Tc) 8.5A (Tc) 174A (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
वीजीएस (मैक्स) ±30V ±20V ±30V ±20V
शृंखला - HEXFET® - HEXFET®
पैकेज / प्रकरण TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-273AA
पैकेट Tube Tube Tube Tube
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 167W (Tc) 78W (Tc) 167W (Tc) 330W (Tc)

IRFB9N65A डेटशीट पीडीएफ

IRFB9N65A - Vishay Siliconix के लिए IRFB9N65A PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
IRFB9N65A, SiHFB9N65A.pdf
अन्य संबंधित दस्तावेज
Packaging Information.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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  1. यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
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डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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