Name: Vishay Siliconix IRFD110PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFD110PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

विशेष विवरण

IRFD110PBF तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - IRFD110PBF तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - IRFD110PBF के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	4-HVMDIP
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	540mOhm @ 600mA, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.3W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	4-DIP (0.300", 7.62mm)
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	180 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	8.3 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	IRFD110

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

IRFD110PBF - Vishay Siliconix

विशेष विवरण

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उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRFD110PBF	IRFD123	IRFD110	IRFD010PBF
उत्पादक	Vishay Siliconix	Harris Corporation	Harris Corporation	Vishay Siliconix
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1A (Ta)	1.3A (Ta)	1A (Ta)	1.7A (Tc)
पैकेट	Tube	Tube	Bulk	Bulk
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	-	10V	10V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
प्रदायक डिवाइस पैकेज	4-HVMDIP	4-HVMDIP	4-DIP, Hexdip, HVMDIP	4-HVMDIP
वीजीएस (मैक्स)	±20V	-	±20V	±20V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	100 V	100 V	100 V	50 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.3W (Ta)	-	1.3W (Ta)	1W (Tc)
शृंखला	-	-	-	-
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	540mOhm @ 600mA, 10V	270mOhm @ 780mA, 10V	540mOhm @ 600mA, 10V	200mOhm @ 860mA, 10V
आधार उत्पाद संख्या	IRFD110	-	IRFD110	IRFD010
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	180 pF @ 25 V	360 pF @ 25 V	180 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	8.3 nC @ 10 V	16 nC @ 10 V	8.3 nC @ 10 V	13 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel

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