Name: Vishay Siliconix IRLD014PBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRLD014PBF

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डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	4-HVMDIP
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	200mOhm @ 1A, 5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.3W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	4-DIP (0.300", 7.62mm)
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	400 pF @ 25 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	8.4 nC @ 5 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4V, 5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	60 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.7A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	IRLD014

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	IRLD014PBF	IRLD110PBF	IRLBA3803P	IRLD120PBF
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Vishay Siliconix
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	400 pF @ 25 V	250 pF @ 25 V	5000 pF @ 25 V	490 pF @ 25 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)	270W (Tc)	1.3W (Ta)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	60 V	100 V	30 V	100 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4V, 5V	4V, 5V	-	4V, 5V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
वीजीएस (मैक्स)	±10V	±10V	-	±10V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	8.4 nC @ 5 V	6.1 nC @ 5 V	140 nC @ 4.5 V	12 nC @ 5 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	1.7A (Ta)	1A (Ta)	179A (Tc)	1.3A (Ta)
परिचालन तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	200mOhm @ 1A, 5V	540mOhm @ 600mA, 5V	5mOhm @ 71A, 10V	270mOhm @ 780mA, 5V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	4-HVMDIP	4-HVMDIP	SUPER-220™ (TO-273AA)	4-HVMDIP
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	2V @ 250µA	2V @ 250µA	1V @ 250µA	2V @ 250µA
आधार उत्पाद संख्या	IRLD014	IRLD110	-	IRLD120
शृंखला	-	-	HEXFET®	-
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
पैकेज / प्रकरण	4-DIP (0.300", 7.62mm)	4-DIP (0.300", 7.62mm)	TO-273AA	4-DIP (0.300", 7.62mm)

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