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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़SI1926DL-T1-E3
Vishay Siliconix
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

SI1926DL-T1-E3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI1926DL-T1-E3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI1926DL-T1-E3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6
विस्तृत विवरण
पैकेज
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
विवरण तालिका
SI1926DL.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 285480

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मात्रा

विशेष विवरण

SI1926DL-T1-E3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI1926DL-T1-E3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI1926DL-T1-E3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC-70-6  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.4Ohm @ 340mA, 10V  
पावर - मैक्स 510mW  
पैकेज / प्रकरण 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 18.5pF @ 30V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 1.4nC @ 10V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 370mA  
विन्यास 2 N-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या SI1926  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI1926DL-T1-E3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI1926DL-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3 SI1926DL-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3
भाग संख्या SI1926DL-T1-E3 SI1922EDH-T1-GE3 SI1926DL-T1-BE3 SI1922EDH-T1-BE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 18.5pF @ 30V - 18.5pF @ 30V -
पैकेज / प्रकरण 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 1.4nC @ 10V 2.5nC @ 8V 1.4nC @ 10V 2.5nC @ 8V
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate - -
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 1.4Ohm @ 340mA, 10V 198mOhm @ 1A, 4.5V 1.4Ohm @ 340mA, 10V 198mOhm @ 1A, 4.5V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
विन्यास 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
पावर - मैक्स 510mW 1.25W 300mW (Ta), 510mW (Tc) 740mW (Ta), 1.25W (Tc)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
आधार उत्पाद संख्या SI1926 SI1922 SI1926 SI1922
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 370mA 1.3A 340mA (Ta), 370mA (Tc) 1.3A (Ta), 1.3A (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 60V 20V 60V 20V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

SI1926DL-T1-E3 डेटशीट पीडीएफ

SI1926DL-T1-E3 - Vishay Siliconix के लिए SI1926DL-T1-E3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SI1926DL.pdf
पर्यावरण सूचना
Material Compliance.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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