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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3 Image
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SI3421DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI3421DV-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI3421DV-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
विस्तृत विवरण
पैकेज
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
विवरण तालिका
TSOP Package Drawing.pdf
SI3421DV.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 160480

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मात्रा

विशेष विवरण

SI3421DV-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI3421DV-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI3421DV-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 6-TSOP  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 19.2mOhm @ 7A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Ta), 4.2W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2580 pF @ 15 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 69 nC @ 10 V  
FET प्रकार P-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SI3421  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI3421DV-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI3421DV-T1-GE3 SI3424BDV-T1-E3 SI3424BDV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3
भाग संख्या SI3421DV-T1-GE3 SI3424BDV-T1-E3 SI3424BDV-T1-GE3 SI3417DV-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेज / प्रकरण SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 19.2mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 28mOhm @ 7A, 10V 25.2mOhm @ 7.3A, 10V
FET फ़ीचर - - - -
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
आधार उत्पाद संख्या SI3421 SI3424 SI3424 SI3417
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 2580 pF @ 15 V 735 pF @ 15 V 735 pF @ 15 V 1350 pF @ 15 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Tc) 8A (Ta)
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±20V
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET प्रकार P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 69 nC @ 10 V 19.6 nC @ 10 V 19.6 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V

SI3421DV-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SI3421DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SI3421DV-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
TSOP Package Drawing.pdf SI3421DV.pdf
PCN असेंबली/ओरिजिन
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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डिलिवरी विधि

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  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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