Name: Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460BDV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (9 reviews)

विशेष विवरण

SI3460BDV-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI3460BDV-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI3460BDV-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±8V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	6-TSOP
शृंखला	TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2W (Ta), 3.5W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	860 pF @ 10 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	24 nC @ 8 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SI3460

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

SI3460BDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

विशेष विवरण

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

समान विनिर्देशों के साथ भाग

SI3460BDV-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

ग्राहकों में भी रुचि रखते हैं

सिफ़ारिश किये हुए उत्पाद

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

वितरण लागत

डिलिवरी विधि

भुगतान समर्थन

आपका वफादार आपूर्ति श्रृंखला भागीदार -

अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

प्रमाणपत्र और सदस्यता

SI3460BDV-T1-GE3

शॉपिंग कार्ट (0 Items)

सूची की तुलना करें (0 Items)

प्रतिक्रिया

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI3460BDV-T1-GE3	SI3460DDV-T1-GE3	SI3460DV-T1-E3	SI3460BDV-T1-E3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
FET फ़ीचर	-	-	-	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4.5V	1.8V, 4.5V	1.8V, 4.5V	1.8V, 4.5V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	8A (Tc)	7.9A (Tc)	5.1A (Ta)	8A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SI3460	SI3460	SI3460	SI3460
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	6-TSOP	6-TSOP	6-TSOP	6-TSOP
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	860 pF @ 10 V	666 pF @ 10 V	-	860 pF @ 10 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2W (Ta), 3.5W (Tc)	1.7W (Ta), 2.7W (Tc)	1.1W (Ta)	2W (Ta), 3.5W (Tc)
वीजीएस (मैक्स)	±8V	±8V	±8V	±8V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	20 V	20 V	20 V	20 V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1V @ 250µA	1V @ 250µA	450mV @ 1mA (Min)	1V @ 250µA
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
पैकेज / प्रकरण	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	24 nC @ 8 V	18 nC @ 8 V	20 nC @ 4.5 V	24 nC @ 8 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	27mOhm @ 5.1A, 4.5V	28mOhm @ 5.1A, 4.5V	27mOhm @ 5.1A, 4.5V	27mOhm @ 5.1A, 4.5V
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।वापस करना

SI3460BDV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

विशेष विवरण

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

समान विनिर्देशों के साथ भाग

SI3460BDV-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

ग्राहकों में भी रुचि रखते हैं

सिफ़ारिश किये हुए उत्पाद

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

वितरण लागत

डिलिवरी विधि

भुगतान समर्थन

आपका वफादार आपूर्ति श्रृंखला भागीदार -

अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

प्रमाणपत्र और सदस्यता

SI3460BDV-T1-GE3

शॉपिंग कार्ट (0 Items)

सूची की तुलना करें (0 Items)

प्रतिक्रिया

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।