Name: Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4505DY-T1-GE3

SI4505DY-T1-GE3 ~~- Vishay Siliconix~~

उत्पादक भाग संख्या

SI4505DY-T1-GE3

Allelco भाग संख्या

32D-SI4505DY-T1-GE3

ईसीएडी मॉडल

भागों का विवरण

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

विस्तृत विवरण

पैकेज

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

विवरण तालिका

SI4505DY.pdf

RoHs स्थिति

~~तुलना~~

विशेष विवरण

SI4505DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI4505DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI4505DY-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता

मान बताइए

उत्पादक

Vishay / Siliconix

वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र

1.8V @ 250µA

प्रौद्योगिकी

MOSFET (Metal Oxide)

प्रदायक डिवाइस पैकेज

8-SOIC

शृंखला

TrenchFET®

आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस

18mOhm @ 7.8A, 10V

पावर - मैक्स

1.2W

पैकेज / प्रकरण

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

पैकेट

Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता

मान बताइए

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20nC @ 5V

FET फ़ीचर

Logic Level Gate

स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)

30V, 8V

वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6A, 3.8A

विन्यास

N and P-Channel

आधार उत्पाद संख्या

SI4505

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI4505DY-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI4505DY-T1-GE3	SI4511DY-T1-E3	SI4511DY-T1-GE3	SI4505DY-T1-E3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	20nC @ 5V	18nC @ 4.5V	18nC @ 4.5V	20nC @ 5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	30V, 8V	20V	20V	30V, 8V
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1.8V @ 250µA	1.8V @ 250µA	1.8V @ 250µA	1.8V @ 250µA
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	18mOhm @ 7.8A, 10V	14.5mOhm @ 9.6A, 10V	14.5mOhm @ 9.6A, 10V	18mOhm @ 7.8A, 10V
FET फ़ीचर	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
शृंखला	TrenchFET®	-	-	TrenchFET®
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
विन्यास	N and P-Channel	N and P-Channel	N and P-Channel	N and P-Channel
पावर - मैक्स	1.2W	1.1W	1.1W	1.2W
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6A, 3.8A	7.2A, 4.6A	7.2A, 4.6A	6A, 3.8A
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	-	-	-	-
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आधार उत्पाद संख्या	SI4505	SI4511	SI4511	SI4505
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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