Name: Vishay Siliconix SI4666DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4666DY-T1-GE3

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1.5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±12V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC
शृंखला	TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	10mOhm @ 10A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1145 pF @ 10 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	34 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	2.5V, 10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	25 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	16.5A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SI4666

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI4666DY-T1-GE3	SI4654DY-T1-GE3	SI4668DY-T1-GE3	SI4660DY-T1-GE3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	34 nC @ 10 V	100 nC @ 10 V	42 nC @ 10 V	45 nC @ 10 V
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	2.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
आधार उत्पाद संख्या	SI4666	SI4654	SI4668	SI4660
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	25 V	25 V	25 V	25 V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	10mOhm @ 10A, 10V	4mOhm @ 15A, 10V	10.5mOhm @ 15A, 10V	5.8mOhm @ 15A, 10V
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	2.5W (Ta), 5.9W (Tc)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	1145 pF @ 10 V	3770 pF @ 15 V	1654 pF @ 15 V	2410 pF @ 15 V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	1.5V @ 250µA	2.5V @ 250µA	2.6V @ 250µA	2.2V @ 250µA
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (मैक्स)	±12V	±16V	±16V	±16V
शृंखला	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
FET फ़ीचर	-	-	-	-
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	16.5A (Tc)	28.6A (Tc)	16.2A (Tc)	23.1A (Tc)

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