Name: Vishay Siliconix SI4862DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4862DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (4 reviews)

विशेष विवरण

SI4862DY-T1-E3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI4862DY-T1-E3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI4862DY-T1-E3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	600mV @ 250µA (Min)
वीजीएस (मैक्स)	±8V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC
शृंखला	TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.3mOhm @ 25A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.6W (Ta)
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	70 nC @ 4.5 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	2.5V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	16 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	17A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	SI4862

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण	विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल)	1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति
ECCN	EAR99
HTSUS

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

यदि आपके पास एक है तो शिपमेंट के लिए अपने एक्सप्रेस खाते का उपयोग करें।
शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।

SI4862DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

विशेष विवरण

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

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SI4862DY-T1-E3 डेटशीट पीडीएफ

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SI4862DY-T1-E3

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उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI4862DY-T1-E3	SI4860DY-T1-GE3	SI4864DY-T1-E3	SI4860DY-T1-E3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
शृंखला	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	600mV @ 250µA (Min)	1V @ 250µA (Min)	2V @ 250µA	1V @ 250µA (Min)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC	8-SOIC
आधार उत्पाद संख्या	SI4862	SI4860	SI4864	SI4860
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.3mOhm @ 25A, 4.5V	8mOhm @ 16A, 10V	3.5mOhm @ 25A, 4.5V	8mOhm @ 16A, 10V
वीजीएस (मैक्स)	±8V	±20V	±8V	±20V
पैकेज / प्रकरण	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	2.5V, 4.5V	4.5V, 10V	2.5V, 4.5V	4.5V, 10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	70 nC @ 4.5 V	18 nC @ 4.5 V	70 nC @ 4.5 V	18 nC @ 4.5 V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	17A (Ta)	11A (Ta)	17A (Ta)	11A (Ta)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	16 V	30 V	20 V	30 V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)	1.6W (Ta)

कृपया हमारे आधिकारिक संस्करण के रूप में अंग्रेजी संस्करण देखें।वापस करना

SI4862DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

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