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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़SI4910DY-T1-GE3
SI4910DY-T1-GE3 Image
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SI4910DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI4910DY-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI4910DY-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
विस्तृत विवरण
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
SI4910DY-T1-GE3.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 3990

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मात्रा

विशेष विवरण

SI4910DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI4910DY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI4910DY-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 27mOhm @ 6A, 10V  
पावर - मैक्स 3.1W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 855pF @ 20V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 32nC @ 10V  
FET फ़ीचर -  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 7.6A  
विन्यास 2 N-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या SI4910  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI4910DY-T1-GE3 SI4914BDY-T1-E3 SI4906DY-T1-E3 SI4906DY-T1-GE3
भाग संख्या SI4910DY-T1-GE3 SI4914BDY-T1-E3 SI4906DY-T1-E3 SI4906DY-T1-GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 2V @ 250µA 2.7V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
शृंखला TrenchFET® LITTLE FOOT® TrenchFET® TrenchFET®
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 7.6A 8.4A, 8A 6.6A 6.6A
विन्यास 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 855pF @ 20V - 625pF @ 20V 625pF @ 20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 40V 30V 40V 40V
आधार उत्पाद संख्या SI4910 SI4914 SI4906 SI4906
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 32nC @ 10V 10.5nC @ 4.5V 22nC @ 10V 22nC @ 10V
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 27mOhm @ 6A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V 39mOhm @ 5A, 10V 39mOhm @ 5A, 10V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
पावर - मैक्स 3.1W 2.7W, 3.1W 3.1W 3.1W
FET फ़ीचर - - - -

SI4910DY-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SI4910DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SI4910DY-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

पीसीएन अप्रचलन/ ईओएल
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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Vishay Siliconix
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