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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफएटी - एरेज़SI4943CDY-T1-GE3
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SI4943CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI4943CDY-T1-GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI4943CDY-T1-GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
पैकेज
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
विवरण तालिका
SI4943CDY-T1-GE3.pdf
RoHs स्थिति
हमारा प्रमाणन
स्टॉक में: 33730

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मात्रा
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विशेष विवरण

SI4943CDY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI4943CDY-T1-GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI4943CDY-T1-GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 19.2mOhm @ 8.3A, 10V  
पावर - मैक्स 3.1W  
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -50°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1945pF @ 10V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 62nC @ 10V  
FET फ़ीचर Logic Level Gate  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A  
विन्यास 2 P-Channel (Dual)  
आधार उत्पाद संख्या SI4943  

पर्यावरण और निर्यात वर्गीकरण

गुण विवरण
RoHs स्थिति
नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) 1 (Unlimited)
तक पहुँचने की स्थिति
ECCN EAR99
HTSUS

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI4943CDY-T1-GE3 SI4943BDY-T1-GE3 SI4944DY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3
भाग संख्या SI4943CDY-T1-GE3 SI4943BDY-T1-GE3 SI4944DY-T1-E3 SI4943BDY-T1-E3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेज / प्रकरण 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 62nC @ 10V 25nC @ 5V 21nC @ 4.5V 25nC @ 5V
FET फ़ीचर Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
प्रदायक डिवाइस पैकेज 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
परिचालन तापमान -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20V 20V 30V 20V
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
पावर - मैक्स 3.1W 1.1W 1.3W 1.1W
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 1945pF @ 10V - - -
आधार उत्पाद संख्या SI4943 SI4943 SI4944 SI4943
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 8A 6.3A 9.3A 6.3A
विन्यास 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 19.2mOhm @ 8.3A, 10V 19mOhm @ 8.4A, 10V 9.5mOhm @ 12.2A, 10V 19mOhm @ 8.4A, 10V

SI4943CDY-T1-GE3 डेटशीट पीडीएफ

SI4943CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix के लिए SI4943CDY-T1-GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

PCN असेंबली/ओरिजिन
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
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SI4943CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix
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