Name: Vishay Siliconix SI5411EDU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5411EDU-T1-GE3

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	900mV @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±8V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	PowerPAK® ChipFet Single
शृंखला	TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	8.2mOhm @ 6A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	3.1W (Ta), 31W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	PowerPAK® ChipFET™ Single
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-50°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	4100 pF @ 6 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	105 nC @ 8 V
FET प्रकार	P-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	12 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	25A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SI5411

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI5411EDU-T1-GE3	SI5419DU-T1-GE3	SI5424DC-T1-E3	SI5418DU-T1-GE3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4.5V	4.5V, 10V	4.5V, 10V	4.5V, 10V
शृंखला	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	900mV @ 250µA	2.5V @ 250µA	2.3V @ 250µA	3V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण	PowerPAK® ChipFET™ Single	PowerPAK® ChipFET™ Single	8-SMD, Flat Lead	PowerPAK® ChipFET™ Single
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	8.2mOhm @ 6A, 4.5V	20mOhm @ 6.6A, 10V	24mOhm @ 4.8A, 10V	14.5mOhm @ 7.7A, 10V
आधार उत्पाद संख्या	SI5411	SI5419	SI5424	SI5418
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	105 nC @ 8 V	45 nC @ 10 V	32 nC @ 10 V	30 nC @ 10 V
FET प्रकार	P-Channel	P-Channel	N-Channel	N-Channel
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	25A (Tc)	12A (Tc)	6A (Tc)	12A (Tc)
वीजीएस (मैक्स)	±8V	±20V	±25V	±20V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	12 V	30 V	30 V	30 V
परिचालन तापमान	-50°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	3.1W (Ta), 31W (Tc)	3.1W (Ta), 31W (Tc)	2.5W (Ta), 6.25W (Tc)	3.1W (Ta), 31W (Tc)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	PowerPAK® ChipFet Single	PowerPAK® ChipFET™ Single	1206-8 ChipFET™	PowerPAK® ChipFET™ Single
FET फ़ीचर	-	-	-	-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	4100 pF @ 6 V	1400 pF @ 15 V	950 pF @ 15 V	1350 pF @ 15 V

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