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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSI8410DB-T2-E1
Vishay Siliconix
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उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें।

SI8410DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SI8410DB-T2-E1
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SI8410DB-T2-E1
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
विस्तृत विवरण
पैकेज
4-UFBGA
विवरण तालिका
Si8410DB.pdf
RoHs स्थिति
स्टॉक में: 93250

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मात्रा

विशेष विवरण

SI8410DB-T2-E1 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SI8410DB-T2-E1 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SI8410DB-T2-E1 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 850mV @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±8V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज 4-Micro Foot (1x1)  
शृंखला TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 37mOhm @ 1.5A, 4.5V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 780mW (Ta), 1.8W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण 4-UFBGA  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 620 pF @ 10 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 16 nC @ 8 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.5V, 4.5V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3.8A (Ta)  
आधार उत्पाद संख्या SI8410  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SI8410DB-T2-E1 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SI8410DB-T2-E1 SI8409DB-T1-E1 SI8417DB-T2-E1 SI8413DB-T1-E1
भाग संख्या SI8410DB-T2-E1 SI8409DB-T1-E1 SI8417DB-T2-E1 SI8413DB-T1-E1
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
पैकेज / प्रकरण 4-UFBGA 4-XFBGA, CSPBGA 6-MICRO FOOT®CSP 4-XFBGA, CSPBGA
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
परिचालन तापमान -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 3.8A (Ta) 4.6A (Ta) 14.5A (Tc) 4.8A (Ta)
प्रदायक डिवाइस पैकेज 4-Micro Foot (1x1) 4-Microfoot 6-Micro Foot™ (1.5x1) 4-Microfoot
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) 1.47W (Ta) 2.9W (Ta), 6.57W (Tc) 1.47W (Ta)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 620 pF @ 10 V - 2220 pF @ 6 V -
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 16 nC @ 8 V 26 nC @ 4.5 V 57 nC @ 5 V 21 nC @ 4.5 V
शृंखला TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
आधार उत्पाद संख्या SI8410 SI8409 SI8417 SI8413
वीजीएस (मैक्स) ±8V ±12V ±8V ±12V
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 850mV @ 250µA 1.4V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.4V @ 250µA
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 37mOhm @ 1.5A, 4.5V 46mOhm @ 1A, 4.5V 21mOhm @ 1A, 4.5V 48mOhm @ 1A, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 20 V 30 V 12 V 20 V
FET प्रकार N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET फ़ीचर - - - -

SI8410DB-T2-E1 डेटशीट पीडीएफ

SI8410DB-T2-E1 - Vishay Siliconix के लिए SI8410DB-T2-E1 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
Si8410DB.pdf
पर्यावरण सूचना
Material Compliance.pdf

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

  1. डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
  2. अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
टिप्पणी:
उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
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