Name: Vishay Siliconix SI8457DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8457DB-T1-E1

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	900mV @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±8V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
शृंखला	TrenchFET®
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	19mOhm @ 3A, 4.5V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	4-UFBGA
पैकेट	Tape & Reel (TR)

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2900 pF @ 6 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	93 nC @ 8 V
FET प्रकार	P-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4.5V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	12 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6.5A (Ta)
आधार उत्पाद संख्या	SI8457

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SI8457DB-T1-E1	SI8447DB-T2-E1	SI8451DB-T2-E1	SI8461DB-T2-E1
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	2900 pF @ 6 V	600 pF @ 10 V	750 pF @ 10 V	610 pF @ 10 V
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET फ़ीचर	-	-	-	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	1.8V, 4.5V	1.7V, 4.5V	1.5V, 4.5V	1.5V, 4.5V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
पैकेट	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	19mOhm @ 3A, 4.5V	75mOhm @ 1A, 4.5V	80mOhm @ 1A, 4.5V	100mOhm @ 1.5A, 4.5V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	93 nC @ 8 V	25 nC @ 10 V	24 nC @ 8 V	24 nC @ 8 V
वीजीएस (मैक्स)	±8V	±12V	±8V	±8V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	6.5A (Ta)	11A (Tc)	10.8A (Tc)	2.5A (Ta)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)	2.77W (Ta), 13W (Tc)	2.77W (Ta), 13W (Tc)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	12 V	20 V	20 V	20 V
आधार उत्पाद संख्या	SI8457	SI8447	SI8451	SI8461
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
FET प्रकार	P-Channel	P-Channel	P-Channel	P-Channel
प्रदायक डिवाइस पैकेज	4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)	6-Micro Foot™ (1.5x1)	6-Micro Foot™ (1.5x1)	4-Microfoot
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	900mV @ 250µA	1.2V @ 250µA	1V @ 250µA	1V @ 250µA
पैकेज / प्रकरण	4-UFBGA	6-UFBGA	6-UFBGA	4-XFBGA, CSPBGA
शृंखला	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®

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