Name: Vishay Siliconix SIHD3N50D-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD3N50D-E3

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-252AA
शृंखला	-
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.2Ohm @ 2.5A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	69W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	175 pF @ 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	12 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	500 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SIHD3

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SIHD3N50D-E3	SIHD180N60E-GE3	SIHB28N60EF-GE3	SIHD6N65E-GE3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	12 nC @ 10 V	32 nC @ 10 V	120 nC @ 10 V	48 nC @ 10 V
माउन्टिंग का प्रकार	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
शृंखला	-	E	-	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA	5V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	500 V	600 V	600 V	650 V
पैकेज / प्रकरण	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-252AA	D-Pak	D2PAK	TO-252AA
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	175 pF @ 100 V	1080 pF @ 100 V	2714 pF @ 100 V	820 pF @ 100 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	3A (Tc)	19A (Tc)	28A (Tc)	7A (Tc)
FET फ़ीचर	-	-	-	-
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	69W (Tc)	156W (Tc)	250W (Tc)	78W (Tc)
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±30V	±30V	±30V
आधार उत्पाद संख्या	SIHD3	SIHD180	SIHB28	SIHD6
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	3.2Ohm @ 2.5A, 10V	195mOhm @ 9.5A, 10V	123mOhm @ 14A, 10V	600mOhm @ 3A, 10V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel

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