Name: Vishay Siliconix SIHG039N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG039N60E-GE3

शिपमेंट

डिलीवरी का समय

इन-स्टॉक आइटम को 24 घंटे के भीतर भेजा जा सकता है।कुछ हिस्सों को 1-2 दिनों के भीतर डिलीवरी के लिए व्यवस्थित किया जाएगा, जिस तारीख से सभी आइटम हमारे गोदाम में आते हैं।और Allelco जहाज दिन में एक बार रविवार को छोड़कर लगभग 17:00 बजे ऑर्डर करते हैं।एक बार माल भेजने के बाद, अनुमानित डिलीवरी का समय शिपिंग विधियों और वितरण गंतव्य पर निर्भर करता है।नीचे दी गई तालिका कुछ सामान्य देशों के लिए लॉजिस्टिक समय है।

वितरण लागत

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शिपमेंट के लिए हमारे खाते का उपयोग करें।अनुमानित शुल्क के लिए नीचे दी गई तालिका देखें।

(अलग -अलग समय सीमा / देश / पैकेज आकार की कीमत अलग है।)

डिलिवरी विधि

डीएचएल / यूपीएस / फेडएक्स / टीएनटी / ईएमएस / एसएफ द्वारा वैश्विक सामान्य शिपमेंट हम समर्थन करते हैं।
अन्य लोग अधिक शिपिंग तरीके, कृपया अपने ग्राहक प्रबंधक के संपर्क में रहें।

सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र	देश	लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका	संयुक्त राज्य अमेरिका	5
अमेरिका	ब्राज़िल	7
यूरोप	जर्मनी	5
	यूनाइटेड किंगडम	4
	इटली	5
ओशिनिया	ऑस्ट्रेलिया	6
ओशिनिया	न्यूज़ीलैंड	5
एशिया	भारत	4
एशिया	जापान	4
मध्य पूर्व	इजराइल	6

डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क	संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा	USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा	USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा	USD $50.00 - USD $100.00

टिप्पणी:: उपरोक्त तालिका केवल संदर्भ के लिए है।बेकाबू कारकों के लिए कुछ डेटा पूर्वाग्रह हो सकते हैं।
अगर तुम्हारे पास कोई सवाल है तो हमसे संपर्क करें।

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
उत्पादक	Vishay / Siliconix
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA
वीजीएस (मैक्स)	±30V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-247AC
शृंखला	E
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	39mOhm @ 32A, 10V
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	357W (Tc)
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3
पैकेट	Tube

उत्पाद विशेषता	मान बताइए
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	4369 pF @ 100 V
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	126 nC @ 10 V
FET प्रकार	N-Channel
FET फ़ीचर	-
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	600 V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	63A (Tc)
आधार उत्पाद संख्या	SIHG039

उत्पाद विशेषता
भाग संख्या	SIHG039N60E-GE3	SIHG11N80E-GE3	SIHG17N80E-GE3	SIHG100N60E-GE3
उत्पादक	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
पैकेट	Tube	Tube	Tube	Tube
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस	126 nC @ 10 V	88 nC @ 10 V	122 nC @ 10 V	50 nC @ 10 V
पैकेज / प्रकरण	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
आधार उत्पाद संख्या	SIHG039	SIHG11	SIHG17	SIHG100
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss)	600 V	800 V	800 V	600 V
FET प्रकार	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
वीजीएस (मैक्स)	±30V	±30V	±30V	±30V
FET फ़ीचर	-	-	-	-
परिचालन तापमान	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	4369 pF @ 100 V	1670 pF @ 100 V	2408 pF @ 100 V	1851 pF @ 100 V
प्रौद्योगिकी	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	39mOhm @ 32A, 10V	440mOhm @ 5.5A, 10V	290mOhm @ 8.5A, 10V	100mOhm @ 13A, 10V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस	63A (Tc)	12A (Tc)	15A (Tc)	30A (Tc)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स)	357W (Tc)	179W (Tc)	208W (Tc)	208W (Tc)
माउन्टिंग का प्रकार	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
प्रदायक डिवाइस पैकेज	TO-247AC	TO-247AC	TO-247AC	TO-247AC
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	10V	10V	10V	10V
शृंखला	E	E	E	E
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र	5V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	5V @ 250µA

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