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घरउत्पादअसतत सेमीकंडक्टर उत्पादट्रांजिस्टर - एफईटी, एमओएसएफईटी - सिंगलSQ2398ES-T1_GE3
SQ2398ES-T1_GE3 Image
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SQ2398ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix

उत्पादक भाग संख्या
SQ2398ES-T1_GE3
उत्पादक
Vishay / Siliconix
Allelco भाग संख्या
32D-SQ2398ES-T1_GE3
ईसीएडी मॉडल
भागों का विवरण
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
विस्तृत विवरण
पैकेज
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
विवरण तालिका
SQ2398ES.pdf
स्टॉक में: 183200

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मात्रा

विशेष विवरण

SQ2398ES-T1_GE3 तकनीकी विनिर्देश
Vishay Siliconix - SQ2398ES-T1_GE3 तकनीकी विनिर्देशों, विशेषताओं, मापदंडों और Vishay Siliconix - SQ2398ES-T1_GE3 के समान विनिर्देशों के साथ भागों

उत्पाद विशेषता मान बताइए  
उत्पादक Vishay / Siliconix  
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA  
वीजीएस (मैक्स) ±20V  
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide)  
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236)  
शृंखला Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 300mOhm @ 1.5A, 10V  
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Tc)  
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
पैकेट Tape & Reel (TR)  
उत्पाद विशेषता मान बताइए  
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ)  
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount  
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 152 pF @ 50 V  
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 3.4 nC @ 10 V  
FET प्रकार N-Channel  
FET फ़ीचर -  
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V  
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V  
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 1.6A (Tc)  
आधार उत्पाद संख्या SQ2398  

समान विनिर्देशों के साथ भाग

दाईं ओर के तीन भागों में Vishay Siliconix SQ2398ES-T1_GE3 के समान विनिर्देश हैं।

उत्पाद विशेषता SQ2398ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_GE3
भाग संख्या SQ2398ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_GE3
उत्पादक Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
माउन्टिंग का प्रकार Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
पैकेज / प्रकरण TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
स्रोत वोल्टेज के लिए नाली (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
प्रदायक डिवाइस पैकेज SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
शक्ति का अपव्यय (मैक्स) 2W (Tc) 3W (Tc) 3W (Tc) 3W (Tc)
FET फ़ीचर - - - -
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन) 10V 10V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V
परिचालन तापमान -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
पैकेट Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
आरडीएस पर (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस 300mOhm @ 1.5A, 10V 95mOhm @ 4.5A, 10V 68mOhm @ 2.4A, 10V 240mOhm @ 2A, 4.5V
आधार उत्पाद संख्या SQ2398 SQ2362 SQ2362 SQ2364
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस 152 pF @ 50 V 550 pF @ 30 V 550 pF @ 30 V 330 pF @ 25 V
शृंखला Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
प्रौद्योगिकी MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
वीजीएस (ध) (मैक्स) @ पहचान पत्र 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस 3.4 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 2.5 nC @ 4.5 V
FET प्रकार N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
वीजीएस (मैक्स) ±20V ±20V ±20V ±8V
वर्तमान - निरंतर नाली (आईडी) @ ​​25 डिग्री सेल्सियस 1.6A (Tc) 4.3A (Tc) 4.3A (Tc) 2A (Tc)

SQ2398ES-T1_GE3 डेटशीट पीडीएफ

SQ2398ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix के लिए SQ2398ES-T1_GE3 PDF DataSheets और Vishay Siliconix प्रलेखन डाउनलोड करें।

डाटा शीट
SQ2398ES.pdf

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सामान्य देश लॉजिस्टिक टाइम संदर्भ
क्षेत्र देश लॉजिस्टिक टाइम (दिन)
अमेरिका संयुक्त राज्य अमेरिका 5
ब्राज़िल 7
यूरोप जर्मनी 5
यूनाइटेड किंगडम 4
इटली 5
ओशिनिया ऑस्ट्रेलिया 6
न्यूज़ीलैंड 5
एशिया भारत 4
जापान 4
मध्य पूर्व इजराइल 6
डीएचएल और फेडेक्स शिपमेंट चार्ज संदर्भ
शिपमेंट शुल्क संदर्भ डीएचएल (यूएसडी $)
0.00 किग्रा -1.00 किग्रा USD $30.00 - USD $60.00
1.00 किग्रा -2.00 किग्रा USD $40.00 - USD $80.00
2.00 किग्रा -3.00 किग्रा USD $50.00 - USD $100.00
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